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MOSFET de puissance à canal N – 30 V / 90 A
MOSFET de puissance à canal N – 30 V / 90 A
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Il s'agit d'un MOSFET de puissance à canal N en boîtier TO‑220, conçu pour la commutation de courants relativement élevés et de tensions modérées. Il peut généralement supporter jusqu'à environ 30 V entre drain et source et des courants de drain continus d'environ 90 A, ce qui le rend adapté pour piloter des moteurs, des LED, des éléments chauffants ou pour la commutation de rails d'alimentation dans des projets de type « maker ».
Caractéristiques principales (typiques)
- Type : MOSFET de puissance à canal N à enrichissement
- Tension : Jusqu'à 30 V maximum entre drain et source (VDS).
- Courant : Environ 90 A de courant de drain continu selon le dissipateur thermique et la conception du circuit imprimé.
- Résistance à l'état passant : RDS(on) très faible, d'environ 4 mΩ à une tension de grille appropriée, ce qui limite la dissipation thermique.
- Seuil de grille : Tension de seuil inférieure à 2 V, permettant un contrôle direct à partir de microcontrôleurs 3,3 V ou 5 V sans driver de grille séparé.
Usage typique
- Commutation de charges lourdes telles que des moteurs CC, des rubans LED haute puissance ou des solénoïdes à partir d'un signal logique basse tension.
Remarque : La référence exacte du composant (par exemple, type IRLB8721 ou type STP60NF03) et l'aire de fonctionnement sécurisée dépendent du fabricant ; consultez toujours la fiche technique.
Avertissement : Les images sont présentées à titre indicatif seulement et peuvent différer du produit réel
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